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加压和减压过程中样品的原位拉曼表征 （来源：广安国制NatureElectronics）随着压力的增加，广安国制116cm-1处来自直径约为2.1 nm CNT的径向呼吸峰（RBM峰）逐渐蓝移并且峰值强度降低（上图b，左），表明高压下CNT中发生了径向结构转变，从而改变了样品的亚带能隙。器件的场效应迁移率可达2443cm2 V-1 s-1，携手开态沟道电导率为7.42mS。
电学研究结果表明，达时代这种方法制备的GNR具有高的材料质量，其高的迁移率和大的带隙可满足集成电路应用的需要。而且，助中造走G峰的偏移率在4.0GPa附近发生变化。出国通过使用透射电子电镜（TEM）和扫描透射电子显微镜(STEM)研究人员可以清晰地区分CNT和被压扁的GNR。
远光下图d中的边缘打开的GNR的宽度为3.3±0.3nm。广安国制相关研究结果近日被发表在NatureElectronics期刊上（NatureElectronics,2021, 4:653-663）。
由于边缘曲率的存在，携手此时GNR的边缘处于高应变状态，携手这导致边缘处的碳原子与硝酸的反应活性比中心区域的碳原子要高得多，从而可实现选择性的边缘刻蚀。
当压力卸压后拉曼光谱中RBM峰没有明显的恢复（上图b，达时代右），表明大多数CNT发生了不可逆的径向变形。助中造走这种制备方法也有望被拓广应用于其它富勒烯材料和纳米管状材料上。
出国一种解决方案是制备和使用一维的石墨烯纳米带（GrapheneNanoribbons,GNRs）。由于边缘散射效应，远光GNR的迁移率和电导率高度依赖于边缘粗糙度，所以渴望制得具有光滑边缘、大带隙和高迁移率的窄且长的GNR。
闭合/开放边缘石墨烯纳米带的显微形貌理论研究表明，广安国制随着压力增加CNT的径向横截面会先从圆形变为椭圆形、广安国制然后变成花生形状并最终坍塌，发生坍塌所需要的压力取决于CNT直径。边缘光滑、携手带隙大和迁移率高的窄且长的GNR的制备依然是一个大的挑战。
